| 原産地: | 日本 | 銘柄: | 三菱 | モデル番号: | ra07m1317m | ブロードバンド周波数範囲: | 135~175mhz | 出力電力: | 6.5w | ドレイン電圧: | 7.2v | モジュールサイズ: | 30×10×5.4ミリメートル | パッケージの概要: | h46s |
包装
| 包装: | 輸出用の標準パッケージ |
仕様
三菱rfモジュール
操作7.2vrfハイパワーmosfetモジュール
シリコンrfアンプのmosfetパワーモジュール
高周波モジュール
rfmosfetパワーアンプモジュール
siパワーrfモジュール
金属- オキシド- 半導体分野- 効果トランジスタモジュール、 mosfetモジュール
1.説明
三菱シリコンrfデバイスサポート無線通信ネットワーク
三菱シリコンrfデバイスですを増幅するためのキーパーツパワー、 伝送のステージのモバイル無線通信機器が高頻度でバンドまで数mhzから1ghzの堅牢にサポート無線通信網付の広い範囲の製品ラインナッププロのラジオ携帯電話などのように公共機関の利用のための機器、 アマチュア無線設備、 車載テレマティクス市場、 オンボード
シリコンrfデバイスは広く使用されているポータブルワイヤレス通信機器で動作する1ghzの下で、 周波数帯域を増幅するために彼らの順序で送信電力
は、 をra07m1317m6.5- ワットのためのrfmosfetのアンプモジュール7.2- ボルトで動作するポータブルラジオ135- 175-mhz範囲に。 缶バッ値に直接接続するのドレインの強化- モードmosfetトランジスタ。 せずにゲート電圧( =vgg0v)、 わずかなリーク電流が流れるにドレインとrf入力信号までの減衰に60デシベル。 ドレイン電流出力電力とゲート電圧の増加に伴っ。 ゲートで2.5v電圧の周り( 最小)、 出力電力、 ドレイン実質上電流が増加し。 電源は、 公称出力で使用できるようになり3v( 代表値) と3.5v( 最大)。 vgg3.5v=、 典型的なゲート電流は1ma
このモジュールはのために設計された非- リニアfm変調、 に使用するかもしれませんが、 またリニア変調を設定することにより、 静止電流とドレインゲート電圧と出力電力を制御する、 電源入力を使用して
2.特徴
1 | エンハンスメント- モードmosfetトランジスタ( idd・ベトコン; @0vdd7.2v=、 =vgg0v) |
2 | ふくれっ面> 6.5wvdd7.2v=@、 vgg3.5v=、 =20mwピン |
3 | ・eta; t> 45％@ふくれっ面=6w( vgg制御)、 vdd7.2v=、 =20mwピン |
4 | ブロードバンド周波数範囲: 135~175mhz |
5 | 低- 電源制御電流igg=1ma( typ) =3.5vvgg |
6 | モジュールサイズ: 30×10×5.4ミリメートル |
7 | 運転が可能なリニアの自己消費を設定することにより、 ゲートを最新のドレイン電圧と出力電力を制御する、 電源入力を使用して |
8 | 鉛- フリータイプ |
9 | rohs対応 |
3.ブロック図
- 整合性・ndashする; としての誠実さを取るクレジットとコアバリューと行動原則
- 顧客の優先順位・ndashする; 時間内にクライアントの需要を満たす、 一緒に、 作成するビジネスチャンス
- グローバル化・ndashする; グローバルなサービスとオファーinternationalize
- 持続可能な操作・ndashする; トレンドフォローの技術の進行と、 ビジネスを実行して継続的に
9.組織図
10。 他の人シリーズの製品
